无锡尚积半导体
江苏省，无锡市
新吴区长江南路 35-312号厂房
Sales Cell Phone: +86 195 3129 8699
Sales Email: sales@sji-semi.com
公司介绍
无锡尚积半导体科技有限公司是一家专业研发、生产半导体国产自研设备的厂商，主营设备包括金属溅射沉积(PVD)，加强型等离子化学气相沉积(PECVD)，等离子干法刻蚀(ETCH)三个领域，服务于为全球的功率器件(Power Device)，微机电系统(MEMS)、先进封装(Advanced Packaging)、化合物半导体(III-V)、射频(RF)、集成电路(IC)客户。设备具备优异的重复性和稳定性、低故障率、长使用寿命、易操作维修。得到客户的广泛认可。
尚积半导体的氧化钒(VOx) 薄膜沉积，RF领域薄膜电阻关键工艺如氮化钽(TaN)等薄膜沉积，TC-SAW SiO2薄膜沉积，高真空吸气薄膜(Getter)沉积，技术参数均超越进口设备，在客户端已经量产，市占率遥遥领先。
在功率器件市场，尚积半导体正面Hot Al设备填孔平坦化能力优异，深宽比做到3:1，超越进口设备；背面金属溅射BSM性能稳定，产能是进口设备近两倍。特别是在SiC领域，市占率遥遥领先。
尚积半导体在IC领域积累了二十余年的丰富经验，在高深宽比填孔、均匀性优化、应力控制、薄膜的多样性及复杂性等多个技术领域有很深的造诣。
尚积半导体的PECVD和ETCH设备在MEMS、RF、Power等领域可以替代进口设备，并提供更优的工艺解决方案。
价值观
尚积——尚德务实，积极进取!
愿景
成为世界一流的半导体真空设备及先进工艺的整合者。
使命
专注于半导体细分领域的核心装备和关键工艺解决方案国产替代，并积极寻找并布局全新技术只做技术领导者。
发展历史
2008年，团队进入MEMS领域
2008年, 团队进入MEMS领域, 开发出氧化钒薄膜溅射, 打破国外技术垄断, 市占率遥遥领先
2012年, 团队开发出吸气薄膜溅射
2012年, 团队开发出吸气薄膜溅射, 打破国外技术垄断, 成为该工艺国内的国产设备供应商, 市占率遥遥领先.
2019年, 团队进入功率器件领域
2019年, 团队进入功率器件领域, 开发出Hot Al填孔工艺金属薄膜溅射, 成为该工艺国内第一家国产设备供应商, 市占率遥遥领先.
2020年, 团队开发出SiC背面金属薄膜溅射
2020年, 团队开发出SiC背面金属薄膜溅射BSM, 成为该工艺国内第一家国产设备供应商
2021年, 团队开发出Si背面金属薄膜溅射
2021年, 团队开发出Si背面金属薄膜溅射, 成为该工艺国内少有的国产设备供应商, 性能优于国内友商.
2021年, 团队开发出RF领域的TaN Lift Off薄膜溅射, 成为该工艺国内少有的国产设备供应商
2022年, 团队开发出滤波器TC-SAW领域
2022年, 团队开发出滤波器TC-SAW领域的HD SiO2薄膜溅射, 成为该工艺国内少有的国产设备供应商
2024年,团队开发出300mm PVD和CVD
2024年,团队开发出300mm PVD和CVD
核心团队
尚积半导体自主培养核心团队平均从业年资超过20年，长期深耕半导体设备行业，有海内外工作背景，前瞻的国际视野及及设备制造的产业链资源。
